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德州仪器打造65纳米超低功耗SRAM
2006年5月11日 9:13  来源:通信产业报
   日前,美国麻省理工学院(MIT)的研究员将在著名的国际固态电路会议上展示一款采用德州仪器(TI)先进65纳米CMOS工艺制造的超低功耗(ULP)256kb静态随机存取存储器(SRAM)测试器件。 

   该款SRAM专为要求高性能、低功耗的电池供电设备开发而成,能够提供业界最低的电压,而且设计人员正在考虑为该产品采用TI的SmartReflex电源管理技术来延长移动产品的电池使用寿命。MIT与TI联合开发的SRAM器件建立在TI先进的65纳米工艺基础之上,其集成的多种技术能够充分满足业界日益增长的低功耗要求。
 
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